Thứ sáu, 29/03/2013 09:24
Công nghệ chế tạo pin mặt trời trên đế SeG-Si và SoG-Si
Với sự đầu tư của Sở KH&CN TP Hồ Chí Minh, các nhà khoa học thuộc Phòng thí nghiệm công nghệ nano (Đại học Quốc gia TP Hồ Chí Minh) đã nghiên cứu, thiết lập thành công quy trình chế tạo pin mặt trời trên hai loại đế silic là semiconductorgrade silicon (SeG-Si) và solar-grade silicon (SoG-Si); chế tạo được hai sản phẩm là pin mặt trời SeG-Si tròn và SoG-Si vuông.
Các tấm pin trên đế SoG-Si được đóng gói thành tấm panel pin mặt trời có kích thước 600x600 mm với hiệu suất 13% và được sử dụng làm nguồn cấp điện cho đèn LED chiếu sáng tại phòng thí nghiệm này.
Chi tiết xin liên hệ: Phòng thí nghiệm công nghệ nano, Đại học Quốc gia TP Hồ Chí Minh
Khu phố 6, phường Linh Trung, quận Thủ Đức, TP Hồ Chí Minh; Tel: (08)37242160/4612-4613; Fax: (08)37242163; Email: lnt@vnuhcm.edu.vn