Trần Thị Thao1 , Đặng Hải Ninh2 , Ngô Đình Sáng3 , Nguyễn Văn Thông4 , Nguyễn Năng Định1*
*Tác giả liên hệ: Email: dinhnn@vnu.edu.vn
1 Trường Đại học Công nghệ, Đại học Quốc gia Hà Nội
2 Trường Đại học Kỹ thuật Lê Quý Đôn
3 Vụ Khoa học và Công nghệ, Môi trường, Ban Tuyên giáo Trung ương
4 Trường Đại học Kỹ thuật - Hậu cần Công an nhân dân
Pin mặt trời hữu cơ (OSC) trên cơ sở chất hoạt quang tổ hợp P3HT và PCBM cấu trúc đa lớp ITO/ZnO/ P3HT:PCBM/LiF/Al được chế tạo từ các lớp vô cơ và hữu cơ. Lớp hoạt tính P3HT:PCBM với tỷ lệ pha trộn 2/3, 1/1 và 3/2 được chế tạo bằng phương pháp quay phủ ly tâm, lớp đệm nano ZnO chế tạo bằng phún xạ cao tần và lớp tiếp xúc nông LiF/Al chế tạo bằng bốc bay chân không. Khảo sát đặc tuyến dòng thế của linh kiện OSC với hỗn hợp pha trộn 1/1 ở chế độ chiếu rọi của bức xạ mặt trời mật độ công suất 50 mW/cm2 cho thấy, thế hở mạch đạt giá trị 0,36 V; dòng ngắn mạch - 5,80 mA/cm2 và hệ số điền đầy - 0,54. Hiệu suất chuyển hóa quang - điện xác định từ các thông số hoạt động trên có giá trị bằng 2,25%. Kết quả nhận được có ý nghĩa thực tiễn trong triển khai năng lượng mặt trời, khi pin OSC được trải rộng nhằm nâng cao công suất tổng của pin.